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Intelのフラッシュメモリ部門は、最新の製造技術に移行することで、チップの記憶密度を倍増させる準備を進めている。

 Intelにとって初となる65ナノメートル(nm)製造プロセスを利用したNOR型フラッシュメモリチップのサンプルは、2006年第2四半期に出荷開始が予定されている。同社のBrian Harrison氏(フラッシュメモリ・グループ、バイスプレジデント兼ゼネラルマネージャー)は、2006年末までに携帯電話メーカー各社向けに大量出荷が可能になると述べた。また、従来の90nm製造プロセスによるフラッシュメモリの記憶容量である512Mビットに対し、新チップでは1Gビットのデータを保存できるようになると、Harrison氏は述べた。

 Harrison氏は、Intelのスタッキング技術を利用することにより、2GビットのNOR型フラッシュメモリの製品化も可能になると述べた。45nm製造プロセスに移行するころには、コスト効率の高い2Gビットのフラッシュメモリの生産が可能になっているはずだと、Harrison氏は述べた。

 フラッシュメモリとしては、NOR型よりもNAND型のほうが普及に拍車がかかっている。大容量で書き込み速度の速いNAND型の利点がメモリカードなどに活用されているためだ。リサーチ会社iSuppliのデータによると、すべてのフラッシュメモリの生産量のうちNAND型メモリの占める割合は、2004年の45%から2006年には69%に達する見込みだという。

 Intelは、Micron TechnologyとのジョイントベンチャーであるIM Flash Technologiesを通じて、NAND型メモリ市場にも取り組んでいる。NAND型メモリ市場を支えているのは、Apple Computerの「iPod nano」や「iPod shuffle」といった携帯音楽プレイヤーの好調な売上だ。Appleは、IM Flash Technologiesにとって最初の顧客の1社でもある。(2006.4.4/CNet)
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